|
| 晶盛机电(300316)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 第三节管理层讨论与分析
一、报告期内公司从事的主要业务
（二）公司的经营模式
1、采购模式
公司主要采用以产定购的采购模式。所需原材料及标准件直接向市场采购；定制化零部件向合格供应商外协定制加
工。公司构筑了全面供应链管理体系，通过搭建战略供应链管理流程、供应商质量管理流程、采购订单管理流程、供应商绩效管理流程等，实现供应链快速、敏捷、灵活和协作，高效地满足采购需求。发展供应链战略合作伙伴，与供应商共同成长。
2、生产模式
公司主要产品采用以销定产的生产模式，根据客户订单进行生产。公司以客户需求为导向，搭建稳定交付的批量生
产管理体系和柔性快速反应的小批多样及新产品生产管理体系。通过打造“稳健批量”和“柔性快捷”双模制造为特点的产品生产制造系统，来满足客户需求，并为公司的产品发展路径和快速的新品上市提供保障。同时，执行“持续强化精益生产”和“推行全流程质量管理”的制造业管理原则，以打造高效率的生产过程和零缺陷的产品交付能力，提高核心竞争力。
3、销售模式
公司主要采用直销方式进行销售。在销售组织管理方面，公司商务部负责市场调研、市场开拓和产品销售，技术服
务团队负责设备产品的安装调试、售后服务和技术支持等。由于公司的主要产品属于专用设备和材料，公司采用参加行业展销会、行业技术交流、目标客户定向推介、招投标等方式进行产品营销。公司设备产品主要采用“预收款—发货款—验收款—质保金”的销售结算模式，材料产品主要采用预收款—发货验收后开票付款的销售结算方式。
4、研发模式
公司坚持技术创新和客户需求深度挖掘的双轮驱动研发模式，建立了从设计制作、工艺流程改善、产品认证测试、
项目开发申报等环节的完整研发控制体系。通过加强对国家产业政策、行业发展趋势的研究，跟踪产业发展方向和技术前沿动态，收集分析客户需求、行业市场、竞争企业以及新产品新技术信息，在此基础上，研究确定公司研发目标、方向和路径规划，建立与产品和技术研发相关的一系列核心技术开发平台和产品产业化平台，持续研发符合市场需求和公司发展战略的新产品新技术，确保公司在行业中处于优势地位。
二、报告期内公司所处行业情况
（一）公司所处行业
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》的分类标准，公司所在行业为大类“C制造业”中的专用设备制造业，公
司主营业务产品为半导体装备、半导体衬底材料、半导体耗材及零部件。、半导体装备
（1）集成电路装备领域
半导体设备市场需求随行业周期波动，受AI算力驱动的先进制程投资、HBM存储产能扩张、全球供应链自主化政策共同拉动，在本轮行业复苏周期中呈现高景气增长。据SEMI2025年终最新预测，2025年全球半导体制造设备销售额
预计达1,330亿美元，同比增长13.7%，创历史新高；预计2026年、2027年将稳步攀升至1,450亿美元、1,560亿美元，连续三年保持增长。中国大陆仍是全球最大半导体设备市场。全球半导体设备行业集中度高，先进制程核心设备仍由海外厂商主导垄断；我国设备企业已基本覆盖各细分赛道，整体国产化率持续提升，但量检测、涂胶显影等环节国产化水平仍偏低，核心零部件国产化仍有较大提升空间。在硅片制造设备环节，目前8-12英寸大硅片设备已基本实现国产化。国产设备凭借性能达标、交付与服务响应快、供应链安全可控等优势，在国内主流大硅片产线占据主要份额。在芯片制造设备环节，在政策支持与产业需求驱动下，国内设备生态加速完善，国产化率快速提升，成熟制程设备已形成规模化量产与竞争优势，先进制程设备持续突破，刻蚀、薄膜沉积、清洗等关键环节国产化率显著提升，新建晶圆产线国产设备采购比例持续走高，替代节奏进一步加快。在封装测试设备环节，虽然我国封测产业成熟度高于芯片制造环节，但高端封测设备国产化率仍然较低。伴随国产设备技术突破与自主可控战略推进，中高端封装、测试设备国产化正进入加速渗透期。
（2）化合物半导体装备领域
SiC GaN
以碳化硅（ ）、氮化镓（ ）等为代表的第三代化合物半导体材料，凭借高击穿电场强度、高导热率、高电子饱和速度及耐腐蚀等优异物理化学特性，成为制备高温、高频、抗辐射及大功率电子器件的核心基础材料，在光电子与
微电子领域应用空间持续拓展。当前行业正从技术验证转向规模化商用爆发期，产业技术加速迭代，材料良率提升、成本快速下探，进一步打开产业化空间。碳化硅材料凭借优异热稳定性与电学性能，已成为新能源汽车800V高压平台的核心器件方案，可显著提升电驱效AI PCS率、延长续航并缩短充电时间；同时在 数据中心高压电源、光伏逆变器、储能 、工业电源及轨道交通等领域也呈现出快速渗透的态势。随着SiC产能快速扩张、8英寸产线建设提速以及下游新能源与AI算力需求持续释放，化合物半导体行业市场规模保持高速增长，碳化硅衬底、外延、刻蚀、薄膜、清洗、量检测等专用装备需求同步快速攀升，成为半导体设备领域重要增量赛道。（）新能源光伏装备领域根据国家能源局数据，2025年，我国新增光伏装机量达316.57GW，同比增长14%。CPIA预测全球新增装机570-630GW，同比增长约20%。当前光伏行业已进入规模化与高质量发展并重的阶段，市场竞争日趋激烈，发展模式正从单纯依靠规模扩张逐步转向以技术提效为核心的竞争新格局。以N型TOPCon、XBC等高效电池技术迭代为牵引，叠加去银化、薄片化等工艺升级，更高效率与智能化水平的专用设备成为提效核心引擎。数字化与智能化生产模式的普及，为行业提供了系统性解决方案，通过打造高效智能工厂，实现设备运行、生产流程与管理体系的全链路数字化协同，可有效突破传统生产效率瓶颈，显著提升产品良率与人均产出。这一模式正支撑光伏产业在成本与毛利双重压力下，实现从“规模为王”向“能效领先+技术创新”的高质量转型。
2、半导体衬底材料
作为半导体产业链的上游环节，半导体材料具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高等特点，对产业发展起到重
要支撑作用。公司业务涉及化合物半导体材料碳化硅衬底和蓝宝石衬底，以及超宽禁带半导体材料金刚石材料。
（1）SiC衬底材料
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，凭借高击穿电场强度、高导热率、低导通损耗等优异特性，已成
为支撑高端制造业升级的战略基石。导电型碳化硅功率器件能完美适配高压、高温、高频工作环境，在新能源汽车800V高压平台、AI数据中心高压电源、光伏储能逆变器、轨道交通及特高压输电等场景实现规模化应用。半绝缘型碳化硅则5G-A/6G依托低载流子浓度与优异微波损耗特性，成为 基站射频前端、低轨卫星通信等的核心衬底材料，其高折射率、高硬度的光学特性，在AR眼镜等光学显示终端应用领域有着不可替代的优势。据YoleGroup预测，2025年全球的SiC衬底市场规模约为30.5亿美元，同比增长28.7%，预计2026年将达到38亿美元。国内碳化硅产业链在技术创新和资本加持下实现跨越式发展，衬底片市场正加速形成8英寸规模化量产与12英寸前瞻布局并行的双轨格局。在功率器件端， 英寸碳化硅衬底片凭借更高的使用效率和更优的缺陷指标，有效降低产业链综合制造成本，正加速推动产能向8英寸切换；随着8英寸技术生态的成熟，碳化硅功率器件在下游领域的渗透步伐将进一步加快。与此同时，12英寸碳化硅衬底片瞄准AR设备、CoWoS先进封装基板等新兴应用领域，正积极开拓更具想象的市场空间。当前，全球碳化硅产业生态持续优化，规模化降本持续推进，新应用场景不断涌现，叠加下游需求加速释放，碳化硅产业正告别“野蛮生长”，进入以技术壁垒与生态整合为核心的高质量发展阶段，市场空间有望持续扩大。
（2）蓝宝石衬底材料
蓝宝石材料凭借与GaN晶格匹配好、强度大、硬度高、耐腐蚀等特点，被广泛应用于LED衬底、消费电子视窗盖板及光学部件等领域，其中LED行业和消费电子是蓝宝石材料的主要应用领域。近年来，蓝宝石材料应用市场呈现复
苏，传统LED照明的二次替换需求增长，Mini/MicroLED、5G射频、功率半导体（GaN-on-Sapphire）及消费电子光学MiniLED TrendForce 2026部件等新兴领域的需求成为核心增量，车载 显示屏等场景增速显著，据 集邦咨询数据预测，年全球LED芯片及封装产业产值预计达121.76亿美元，年增3.4%。供给端方面，随着长晶及加工的技术和工艺进步，蓝宝石尺寸不断扩大，成本持续降低，推动其应用领域向更多细分市场延伸。
（3）金刚石材料
金刚石以其优异的物理特性在工业、半导体、珠宝等领域有着广泛应用。作为当前单质半导体材料中带隙最宽的材
料，金刚石兼具高击穿电场、大饱和载流子速度、高载流子迁移率和低介电常数等卓越电学性质，更拥有自然界最高热导率，是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的理想材料，被称为第四代半导体材料。CVD金刚石凭借散热性强、尺寸可控、成本持续优化的优势，可作为大功率散热片，已从实验室验证阶段迈向规模化应用初期，未来随着大尺寸晶圆缺陷控制技术的进步和制备成本的不断下降，有望在半导体散热领域得到大规模应用。金刚石衬底材料市场正处于“技术突破-场景验证-量产爬坡”的关键阶段。随着量子计算、6G通信等新兴领域对超高热导率材料需求的逐步释放，市场规模有望进入快速增长周期。
（4）氮化硅陶瓷材料
氮化硅陶瓷因其出色的机械强度、卓越的抗热震性、与半导体芯片匹配的热膨胀系数，以及优异的绝缘性和可金属
化能力，被视为极端工况下不可替代的关键材料，广泛应用于新能源汽车电控系统、5G/6G通信射频器件、光伏与储能逆变器、轨道交通与智能电网等高精尖领域。目前，高性能氮化硅陶瓷材料的制备技术和主要市场份额仍被日本等国外企业主导，随着新能源汽车及半导体设备领域市场需求的持续释放，高性能氮化硅陶瓷材料的国产化进程将持续提速。
3、半导体耗材及零部件
（1）半导体耗材领域
半导体耗材作为半导体制造过程中不可或缺的消耗品，在整个半导体产业链中占据关键地位。伴随全球半导体产业
持续扩张，在AI芯片、先进制程与HBM需求拉动下，耗材市场规模增速进一步提升。其中，石英坩埚、石英制品、石墨制品和金刚线等作为半导体及光伏产业的核心生产耗材，深度渗透硅片制造、芯片制造以及光伏硅片、电池片制造等关键环节。据QYResearch报告数据，2025年全球石英制品市场规模达140.3亿美元，预计2026至2032年期间年均复合增长率为5%；其中半导体用石英部件增速尤为突出，2025年市场规模约59.5亿元人民币，2026至2032年复合增长率达9.2%。我国石英材料产业正经历从“替代跟随”到“创新引领”的关键转折。在半导体领域，国产石英坩埚凭借大尺寸技术突破和供应链协同，逐步打破海外垄断，实现国产化替代；随着国内 英寸晶圆厂扩产加速，半导体用高纯石英、大口径石英管/腔体需求快速放量，本土石英零部件企业在国内晶圆厂供应占比持续提升。石英制品品类多元，几乎贯穿半导体晶圆制造全流程。随着先进制程工艺演进，行业对石英制品的纯度、热稳定性和尺寸精度要求愈发严苛，国内石英制品企业持续加大研发投入，通过技术创新提升产品质量，并深化与国内半导体制造企业的协同合作，实现产业联动发展，推动国产石英制品在高端市场的占有率持续提升。8 SiC石墨制品作为硅片长晶、外延、刻蚀环节的关键耗材，随着 英寸 产线规模化落地，半导体高端石墨市场需求快速提升。国内企业在等静压高纯石墨领域实现关键突破，产品关键指标已达国际先进水平，国产部件在成本、交货期、本地化服务等方面优势明显，已批量进入头部SiC厂商供应链，高端石墨制品国产化进入放量阶段。作为硅棒截断与硅片切割的核心耗材，金刚线的性能直接关乎硅片质量、效率和成本。钨丝金刚线凭借耐磨损、高强度、断线率低、细线化等优势，在光伏产业市场渗透率持续提升，已逐步替代碳钢金刚线成为主流。
（2）半导体零部件领域
半导体精密零部件以微米级精度、超千种细分品类、高耐腐蚀性（适应高频等离子体/强真空环境）构筑技术壁垒，覆盖刻蚀机反应腔体、沉积设备气体分配盘（Showerhead）、石墨涂层载具、石英及陶瓷部件等。作为支撑半导体
装备制造运行的核心基础单元，半导体设备零部件具备高精密、高洁净度、超强耐腐蚀能力及优异电气绝缘性能，其生产制造深度融合精密机械加工、特种工程材料研发、表面处理工艺创新、机电系统集成及高端工程设计等多学科技术体系，部分先进制程零部件要求达到纳米级加工精度与ppm级杂质控制水平。根据QYResearch报告数据，2025年全球半导体零部件（核心机械/结构备件，含腔体、轴、夹具等）市场规模达315.3亿美元，预计2026–2032年以7.8%的年复合增长率增长。中国作为最大的区域市场，占全球份额约30%，预计2026–2032年复合增长率达9.0%。半导体设备精密零部件种类繁多，当前国内尚未形成高度集中的市场格局，主要由美国、日本和欧洲企业主导。受国际贸易政策及供应链安全诉求驱动，国产替代成为行业迫切需求。国内零部件厂商积极加大研发力度，加强产业链协同攻关，已经在多个领域实现关键突破，目前成熟制程基本实现覆盖，先进制程国产化率持续提升。随着自主可控战略持续深化，叠加本土晶圆厂扩产带来的需求红利，国产半导体精密零部件制造有望加速技术迭代与市场渗透。未来，行业将向“材料自主化、工艺高端化、交付一体化”升级，推动全球市场格局重塑。
（三）公司所处的行业地位
在集成电路装备领域，公司已构建 英寸半导体大硅片核心装备的全产业链布局，产品质量达国际先进水平，国内市占率领先；同时，延伸至芯片制造与封装环节，成功布局8-12英寸硅常压外延、8-12英寸减压外延设备及减薄设备
等，相关产品取得市场认可并实现批量销售。在化合物半导体装备领域，公司6-8英寸碳化硅外延设备、氧化炉、激活炉实现国产替代，市占率行业领先。在新能源光伏装备领域，公司取得了行业认可的技术和规模双领先的地位，具备硅片端、电池端以及组件端全产业链核心装备供应能力，全自动单晶硅生长炉市占率国际领先。在半导体衬底材料领域，公司蓝宝石衬底材料技术和规模全球领先； 英寸碳化硅衬底材料技术及规模处于国内前列，量产的 英寸碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平。在半导体耗材及零部件领域，公司半导体用石英坩埚技术和规模国内领先，半导体大尺寸合成石英坩埚实现国产替代；光伏石英坩埚技术和规模全球领先；大型真空腔体、大型高精密框架、精密传动主轴、磁流体、真空阀门等半导体精密零部件加工能力与量产规模处于国内前列。
（四）新颁布的法律、法规、行业政策的影响
、半导体行业
2025年3月，国家发改委、工信部、财政部、海关总署及国家税务总局联合发布《关于做好2025年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知》（发改高技〔2025〕385号），明确享受税收优惠的集成
电路企业/项目标准，延续研发费用加计扣除、进口税收减免等优惠政策，降低企业研发与生产负担；2025年8月，工信部和国家市场监督管理总局发布《电子信息制造业2025－2026年稳增长行动方案》，聚焦CPU、光芯片、RISC-V生态5G/6G 2025 10等核心领域突破；推动半导体产业与人工智能、 等新兴领域融合，拓展应用场景； 年 月，国家发布《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》，在加快高水平科技自立自强方面，强调完善新型举国体制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。北京、上海、深圳、杭州等城市相继出台地方政策，对集成电路企业研发投入以及重大项目给予补助支持。年是中国半导体产业政策持续深化、国产替代攻坚突破、全球供应链重构的关键一年。聚焦全链条自主可控，行业进入高质量发展与安全发展并重的新阶段，设备、材料、先进封装等环节迎来历史性机遇。
2、新能源光伏行业
2025年2月，国家发改委和能源局联合发布《关于深化新能源上网电价市场化改革促进新能源高质量发展的通知》（发改价格〔2025〕136号），新增光伏全面入市，差价结算。2025年8月，工信部、国家发改委、市场监管总局等六
部门联合举办光伏产业座谈会，加强产业调控，以市场化法治化方式推动落后产能有序退出；遏制低价无序竞争，健全价格监测与反垄断机制；规范产品质量，打击虚标功率、侵犯知识产权等行为；支持行业自律，倡导公平竞争。2025年10月，国家发改委和国家能源局发布《关于完善价格机制促进新能源发电就近消纳的通知》（发改价格〔2025〕1192号），建立就近消纳交易价格形成机制，鼓励跨省跨区余缺互济。2025 “ ” “年光伏政策以市场化定型、产能治理、标准升级、回收铺垫为四大主线，推动行业从 规模内卷 转向 质量与价值竞争”。落后产能加速出清，资源向技术领先、成本控制能力强的头部企业集中，产业集中度提升，行业正迈向规范化、有序化发展新阶段，全球竞争力和可持续发展能力将进一步增强。。
四、主营业务分析
1、概述
报告期内，公司实现营业收入1,135,748.71万元，归属于上市公司股东的净利润88,473.47万元。受光伏行业周期性
调整影响，公司光伏设备和材料收入及盈利同比下滑。受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务持续发展。报告期内，公司集成电路与碳化硅相关的设备及材料收入18.50亿元，截至2025年12月31日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税）。（）深化半导体装备国产替代，持续扩大市场规模报告期内，公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇，积极推进半导体装备的市场推广。在集成电路装备领域，积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证；成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白，实现国产替代。发布方形硅片全流程解决方案，为客阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。 英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，并取得重要客户复购，在先进制程、特色硅光工艺上均取得突破。设备采用单温区、多温区闭环控温模式，结合多真空区间精准控压技术，确保外延生长过程的高度稳定性，其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计，能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性，满足先进制程的高标准要求。在化合物半导体装备领域，公司紧抓碳化硅产业链向8英寸切换的行业发展趋势，充分发挥在碳化硅产业链装备的8-12核心技术优势，加强 英寸碳化硅外延设备以及减薄设备的市场推广，顺利取得客户订单；积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的验证进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。在新能源光伏装备领域，公司持续加强研发技术创新，在产品技术和工艺、自动化和智能化以及先进制造模式等领域持续进行创新，聚焦TOPCon提效与BC技术创新，持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系，积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证，EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势，在推动产业创新的同时，助力公司高质量发展。
（2）加速半导体衬底材料产业化，提升全球化供应能力
报告期内，公司以碳化硅衬底为核心，实现从技术突破到规模化供应的关键跨越。公司基于自主研发的碳化硅单晶
生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功建设 英寸碳化硅衬底加工中试线，并基于下游应用，向产业链客户进行送样验证。同时，积极推进 英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取海内外客户的批量订单。公司基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成“国内+海外”双产能布局，全球供应保障能力大幅提升。同时，光学级碳化硅材料布局成效显著，8英寸产品工艺稳定并实现规模量产，12英寸光学级碳化硅衬底研发取得突破并小批量生产。LED Mini/MicroLED蓝宝石材料受益于 二次替换、 新应用拓展及消费电子复苏，实现同比稳健增长；氮化硅陶瓷材料实现重大突破，成功突破了关键流延成型、精密温场控制等全产业链核心技术，首条氮化硅陶瓷基板产线正式通线量产，产品微观结构均匀性、热导率等核心指标对标国际顶尖水平，成功打破国外企业垄断，为新能源汽车、高端装备等领域提供关键材料支撑，降低下游产业进口依赖度。
（3）强化半导体零部件自主可控，技术实力与产业规模持续提升
报告期内，子公司晶鸿精密坚持以核心零部件国产化为目标，不断强化精密加工、特种焊接、组装测试、半导体级
表面处理等核心制造能力，持续加强关键零部件的研发攻关和产业化建设，产品质量持续提升，产品品类日益丰富。强化零部件产品的市场拓展，聚焦客户需求，构建研发、制造、服务一体化解决方案，为客户提供高品质、高效率的产品和服务，提升半导体产业链关键零部件的配套供应和服务能力，公司不断拓展真空腔体、精密传动主轴、游星片、陶瓷盘以及其他高精度零部件等系列产品的客户群体，推动市场规模持续提升。（）加强组织人才建设，夯实组织管理发展基石报告期内，公司面对半导体行业发展机遇与光伏行业周期性挑战，持续加强管理体系及组织人才建设，大力培养青年骨干人才，锻造一支善于聚焦重点任务、精准响应市场变化、勇于担当作为的复合型青年人才队伍。同时，加速高能级技术研发平台建设，实现集团内外创新资源精准配置，强化技术、人才与产业链的深度协同，构建高效、敏捷、坚韧的组织生态，为突破“卡脖子”技术、推进核心装备与材料自主可控、加速全球化战略布局提供了坚实的人才与组织保障。
（5）完善内部控制体系，提升规范治理水平
报告期内，公司持续健全内部控制体系，结合各业务板块发展特点，系统梳理并优化内控流程。由内部审计、流程
管理、财务管理等专业人员定期开展内控制度审查与评估，根据业务发展变化及监管要求，及时修订完善相关制度。在财务管理方面，强化预算管理、成本管控与资金监管，保障财务运行稳健规范；在内部审计方面，加大审计力度，拓宽审计覆盖范围，强化对业务活动的全过程监督，及时识别、预警并整改各类风险隐患。同时，结合公司经营实际优化流程控制，加强决策层、管理层与执行层的协同联动，确保内控要求有效落地。通过全面落实内部控制，公司进一步构建科学决策机制、快速市场响应机制和完善风险防范体系，持续提升规范运营能力与公司治理水平，为实现高质量可持续发展提供坚实保障。
2、收入与成本
（1）营业收入构成
（2）占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况适用□不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据□适用不适用
（3）公司实物销售收入是否大于劳务收入
是□否
行业分类 项目 单位2025年2024年 同比增减
设备 销售量 台 7,785 10,090 -22.84%生产量 台 853 5,434 -84.30%库存量 台 3,771 10,703 -64.77%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用□不适用报告期内，公司设备产品销售量、生产量及库存量下降主要系本期订单减少，排产减少。
（4）公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况□
（5）营业成本构成
（6）报告期内合并范围是否发生变动
是□否
报告期内，经公司总裁办公会审议通过，公司全资子公司晶创国际在比利时设立JSGSolutionsBelgiumB.V.，上述主体自其设立完成月份起纳入公司合并报表范围。
（7）公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况
□
（8）主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
4、研发投入
主要研发项目名
称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响12英寸三轴减薄抛光清洗一体机 研发大尺寸减薄抛光清洗一体化设备，技术指标达到国际先进水平。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响8英寸双轴留边减薄机 研发应用于封装领域的8英寸留边减薄设备 实现量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响热式氧化物原子层沉积设备 研制具有自主知识产权的12英寸热式氧化物原子层沉积设备 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响单腔预清洗型减压外延设备 研制具有自主知识产权的12英寸减压外延生产设备，并通过客户量产验证。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响硅大束流离子注入机 研制具有自主知识产权的12英寸硅大束流低能离子注入设备，整合国内离子注入供应链并进行批量生产；同时针对硅器件应用的离子注入工艺，搭建离子注入全系列设备开发平台，进行各类离子注入机开发的技术累积。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响等离子体增强原子层沉积设备 在较低温度下实现半导体薄膜沉积并能更精准的控制厚度均匀性的设备 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响12寸槽式碱腐清洗机 开发针对12寸硅晶圆的减薄后槽式碱腐清洗机，实现晶圆表面刻蚀的均匀性，并保证晶圆表面的金属颗粒。 实现量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响12寸CMP后槽式清洗机 开发针对12寸硅晶圆CMP后槽式清洗机，实现清洗的高效率，降低客户CMP后清洗成本，并 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响保证晶圆清洗后的颗粒和金属等级。12寸SOI键合设备 研发在加工效率和加工精度实现进口替代并具有成本优势的12寸SOI键合设备。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响12寸W2W高精密键合设备 研发应用于先进封装的12寸W2W高精密键合设备 设计阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响多场辅助大硅片化学机械原子级抛光设备 研制模块化的多能场复合的化学机械原子级抛光装备 设计阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响12英寸硅锗减压外延生长设备 研发具有完全自主知识产权的12英寸硅锗减压外延生长装备，核心技术指标达到国际先进水平。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响8英寸碳化硅双面抛光机 研制具有自主知识产权的8英寸碳化硅双面抛光装备。 实现量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响立式碳化硅激活炉 研制满足8英寸碳化硅晶圆高温激活工艺需求的立式碳化硅高温激活炉 实现量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响立式碳化硅氧化炉 开发一款具有自主知识产权的立式碳化硅氧化炉，满足8英寸碳化硅晶圆干氧氧化、湿氧氧化、氧化后退火等多种工艺需求，同时包含碳化硅工艺设备清洁功能。 实现量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响碳化硅离子注入设备 研制具有自主知识产权的8英寸碳化硅高温中束流高能离子注入设备 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响8英寸氮化镓外延设备 研制核心参数指标满足行业需求的8英寸氮化镓外延设备 设计阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响PECVD-Poly管式体淀积设备 研制实现硅片的自动化、高质量的单面（氮化硅/氧化铝）镀膜的管式等离子体沉积炉 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响板式PECVD 研制实现硅片的自动化、高质量镀膜的板式等离子体化学气相沉积设备 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响基于BC电池和磁控溅射技术的新型板式设备 本项目拟进行物理气相沉积设备的设计研发，设备的核心在于利用溅射效应将靶材原子转移到基材表面，从而形成薄膜。 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响太阳能电池超密焊带焊接设备 研发制造出一台高效稳定的能够实现太阳能电池超密焊带焊接的设备 验证阶段 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响12英寸SiC衬底 采用PVT晶体生长方法，扩大晶体直径并迭代至12英寸，目标用于AR/VR及功率半导体领域 小批量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响氮化硅陶瓷基板材料 开发适合不同工艺要求、不同压力和温度范围下的氮化硅材料 小批量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响高均匀性8英寸蓝宝石衬底 研制高均匀性8英寸蓝宝石晶片制备技术 小批量产 实现量产并批量销售 将对公司持续经营发展产生积极影响
5、现金流
（1）经营活动现金流入同比下降38.35%，主要系本期销售商品、提供劳务收到的现金减少349,463.64万元，收到的税费返还减少18,828.34万元，以及收到其他与经营活动有关的现金减少24,242.17万元；（2）经营活动现金流出同比下降34.17%，主要系本期购买商品、接受劳务支付的现金减少143,974.47万元，支付给职工以及为职工支付的现金减少28,926.05万元，支付的各项税费减少97,786.60万元，以及支付其他与经营活动有关
的现金减少18,396.46万元；
（3）投资活动产生的现金流量净额同比下降33.22%，主要系本期购建固定资产等长期资产支付的现金减少108,609.27万元；
（4）筹资活动现金流入同比减少10.34%，主要系本期取得借款收到的现金减少100,879.74万元，收到其他与筹资活动有关的现金增加84,399.04万元；
（5）筹资活动现金流出同比减少39.79%，主要系本期偿还债务支付的现金减少61,487.25万元，以及支付的现金股
利及利息减少43,871.12万元。报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明□适用不适用
五、非主营业务情况
□适用不适用
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
负债
一年内到期的
境外资产占比较高
□适用不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用□不适用
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
□
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用不适用
4、金融资产投资
（1）证券投资情况
适用□不适用
（2）衍生品投资情况
□适用不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
八、重大资产和股权出售
1、出售重大资产情况
□适用不适用
公司报告期未出售重大资产。
2、出售重大股权情况
□适用不适用
九、主要控股参股公司分析
□适用不适用
公司报告期内无应当披露的重要控股参股公司信息。
十、公司控制的结构化主体情况
□适用不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动登记表
适用□不适用
接待时间 接待地点 接待方式 接待对象类型 接待对象 谈论的主要内容及提供的资料 调研的基本情况索引
2025年02月20日 杭州 实地调研 机构 分析师、基金
十三、市值管理制度和估值提升计划的制定落实情况
公司是否制定了市值管理制度。
是□否
公司是否披露了估值提升计划。
□是否
为加强公司市值管理，切实推动公司投资价值提升，使投资价值合理反映公司质量，增强投资者回报，维护投资者
利益，公司制定了《市值管理制度》，该制度于2025年2月21日经公司第五届董事会第十七次会议审议通过。十四、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案公告。是□否公司于2024年2月5日披露《关于“质量回报双提升”行动方案的公告》，围绕聚焦主业发展、创新引领高质量发展、提升规范运作水平、提高信息披露质量、切实回报投资者五大方向制定专项措施。报告期内，公司稳步推进各项举措落地见效，坚定执行“先进材料、先进装备”发展战略，持续深化装备+材料产业链协同布局，不断提升产业链整体竞争力。公司坚持以创新驱动为核心，持续加大研发投入，紧密跟踪行业前沿技术动态，开展前瞻性技术布局，巩固并提升核心技术领先优势。同时，不断完善公司治理结构与内部控制体系，全面提升规范运作水平；持续优化信息披露质量，强化投资者关系管理，增进与资本市场的有效沟通；坚持实施稳定的现金分红政策，健全投资者回报机制，以扎实经营成果切实回馈广大投资者。
|
|