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| 东微半导(688261)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 二、经营情况讨论与分析
公司是一家专注于高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。
2025年，在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下，全球半导体市场呈现复苏与增长态势。公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。
（一）整体经营业绩情况
报告期内，公司实现营业收入12.53亿元，较上年同期增长24.87%；实现归属于上市公司股东的净利润4,621.04万元，较上年同期增长14.85%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元，较上年同期增长240.49%。
功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，报告期内，车规级、工业级领域营业收入占比约为83%。受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响，公司营业收入和毛利率有所上升，盈利能力也有所提升。
（二）技术研发情况
公司坚持技术创新与研发投入，夯实现有产品的技术升级，加快实现新产品的技术迭代。2025年度研发费用为9,231.76万元，较上年同期增长21.93%；截至2025年末，公司研发人员数较上年同期增长13.04%；2025年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长18.09%。
①超级结MOSFET方面：
报告期内，公司依托12英寸晶圆制造基地的深度扩展与技术优化，成功构建了丰富且优质的制造资源池。在与基地的全年通力合作下，超级结MOSFET产能实现跨越式增长，不仅完成了年初设定的产能爬坡目标，更在应对市场高峰需求时展现出卓越的弹性。报告期内，晶圆测试良率持续稳定在高水平，这种优异的一致性表现，更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。
第四代超级结MOSFET进入全面放量阶段，凭借成熟的工艺和极高的性价比，该系列产品收到多家客户的长期订单，为公司年度销售额增长做出贡献，提升了市场占有率。第五代超级结MOSFET小批量交付，性能国内领先；第六代超级结MOSFET研发工作进展顺利，器件性能已经接近国际大厂最优系列，性价比优势明显。目前，第六代超级结MOSFET正在开展严苛的可靠性验证，旨在满足客户日益严格的质量预期。随着12英寸晶圆代工厂产能的全面扩张以及制造设备性能的持续升级，“供应能力”与“产品性能”的双重优势不仅巩固了超级结产品在高端功率半导体领域的护城河，更为长远发展积蓄了强劲动能。
②中低压屏蔽栅MOSFET方面：
公司中低压屏蔽栅产品覆盖25V-250V全电压平台。报告期内，公司优化了25V-200V全规格段产品性能，量产多颗规格难度较高的产品，助力终端客户完成国产化替代。FSMOS系列推出了200V电压平台产品，产品性能优越，可用于光伏逆变、储能和电机驱动等相关领域。公司持续投入车规验证资源，陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。在大电流高频率领域，25V-200V高频系列单体器件性能国内领先。公司25V、30V、40V、60V、80V、100V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，人形机器人等领域实现了销售。
③独创结构的TGBT方面：
报告期内，公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力，在下半年陆续推出基于该技术的产品系列，在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估，性能满足预期，这将为公司赢得更多的订单机会。使用公司研发的650VTGBT，搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。
④SiC器件方面：
报告期内，公司加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。
报告期内，公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段；公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时，成功解决了客户应用的痛点问题，该系列产品已通过客户的测试并获得订单；公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，推进客户验证中；同时，更高电压的系列产品2
也在积极研发中。公司自主研发的SiCMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充，同时公司也积极研发其他类型的SiC器件，如硅器件和SiCJFET的组合，沟槽型SiCMOSFET，以及超结型SiCMOSFET，以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。⑤功率模块方面：
2025年，依托在功率器件和功率模块上的技术积累，公司模块产品已批量出货，产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景，并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。高压领域，依托成熟的SMD3平台，产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等，可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域，展现出卓越的功率密度与热管理能力。低压领域，公司于2025年推出了低压SGTMOS半桥/全桥模块，该系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗，具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。其核心应用场景广泛，涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组，以及汽车热管理系统，可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。
（2）公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善，推动实验室体系向更高标准迈进，良好的研发实验环境，能为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
2025年上半年，公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。在车规级可靠性验证方面，公司实验室已具备完整的测试能力，覆盖关键实验项目，确保产品在严苛环境下的长期可靠性。实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期，使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律，并快速反馈至设计与封装工艺优化环节，为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。一流实验平台的升级与完善，将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。
综上所述，报告期内，公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发，提升测试实验能力的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。
（三）供应链布局情况
报告期内，公司在供应链协同方面持续深化。在晶圆代工端，公司与华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。同时，为保障第三代半导体产品系列的研发与产能，公司与多家SiC代工厂展开深入合作。通过前瞻性的采购策略，公司有效应对了产能的周期性波动，确保了产品交付的及时性。此外，公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发，并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配，实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。
在封测端，公司整合供应链资源，强化了对封装与测试环节的协同管理。公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略，以此推动代工成本的优化与整体效率的提升，从而不断增强供应链的自主可控能力。
（四）产业链布局情况
公司持续追踪优质资产与并购契机，基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划，对风险收益进行充分评估与审慎决策。公司在产业链上下游的投资布局，预期将在中长期显著提升协同效应，从而推动公司持续、快速、稳定及健康发展。
（五）股权激励情况
报告期内，公司推出2025年限制性股票激励计划，向董事、高级管理人员及核心技术和业务骨干授予1,594,619股限制性股票。公司致力于构建员工与企业共享发展成果的长期利益共同体，通过完善长效激励机制，激发核心人才的积极性与稳定性，促进核心团队与公司长期价值的协同成长。
非企业会计准则财务指标的变动情况分析及展望
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