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| 北方华创(002371)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 第三节管理层讨论与分析
二、报告期内公司所处行业情况
（一）半导体装备业务板块
2025年全球半导体市场实现结构性突破，行业规模创历史新高，据权威机构初步统计，全球半导体市场规模达7930亿美元，同比增长21%。行业已逐步脱离传统消费电子主导的周期波动模式，形成以人工智能（AI）算力需求为
核心，汽车电子化、工业智能化、能源革命等多领域协同驱动的增长格局，抗周期属性显著增强，为上游半导体设备产业提供了坚实的需求支撑。AI产业的快速渗透是市场增长的核心引擎，AI相关半导体器件需求呈爆发式增长，其中高带宽内存（HBM）、AI处理器等产品营收增幅显著，直接拉动存储芯片进入量价齐升的发展周期。2025年，全球存储芯片市场迎来前所未有的景气上行周期，自2024年底启动的价格复苏，于2025年逐步演变为全行业的“超级周期”，DRAM和NANDFlash价格持续上涨，库存水平降至历史低位，产能利用率接近满载。这场由人工智能驱动的行业景气度提升，不仅重塑了传统的供需格局，也加速了技术创新和产业竞争格局的演变。同时，全球供应链区域化布局调整，叠加下游产能扩张需求，强化了半导体产业的增长韧性，为国产半导体设备产业带来历史性发展机遇。亚太地区与美洲成为全球半导体市场增长的核心板块，两大区域合计贡献超七成市场增量。其中亚太地区凭借完善的制造体系与产能优势，稳居全球半导体制造核心地位；中国大陆作为亚太市场的重要增长极，依托本土产业链升级与产能扩张需求，持续释放市场潜力，成为全球半导体设备需求的核心策源地之一，为本土设备产业的技术迭代与市场拓展提供了广阔空间。在行业发展的推动下，2025年全球半导体制造设备市场同步实现高速增长，据公开数据显示，全年设备总销售额达1330亿美元，同比增长13.7%，创历史峰值。从区域分布看，中国大陆连续多个季度稳居全球最大半导体设备市场，本土晶圆厂在制程扩产与技术升级方面的持续投入，成为驱动设备需求增长的核心力量。行业整体呈现订单兑现加速、景气度向好的特征，国产设备阵营营收均保持较高增幅。1．逻辑芯片制程设备
2025年，AI算力需求成为驱动逻辑芯片制程设备增长的核心引擎。其中，面向中国市场的中高端制程需求尤为旺盛，本土晶圆厂的持续扩产进一步放大了设备采购需求。同时，汽车电子、工业控制等领域对逻辑芯片的刚性需求也在稳步释放。从设备类型看，刻蚀、薄膜沉积、热处理等设备是关键品类：刻蚀设备向更高精度、高选择比升级；薄膜沉积设备需满足纳米级膜层均匀性控制，以支撑多重曝光工艺的图形化精度；热处理设备则致力于提升批量处理的稳定性与工艺适配性，减少多工序叠加带来的良率损耗，模块化设计已成为主流趋势。在国产化方面，国内已形成覆盖逻辑电路核心工艺的设备解决方案，核心性能逐步接近国际先进水平。国产设备在新建产线中的渗透率持续提升，凭借工艺优化、更优的性价比与快速的服务响应，形成了显著的本土优势。2．存储芯片制程设备
2025年，存储芯片市场进入景气度上行的“超级周期”。HBM凭借高带宽、低延迟特性成为AI服务器核心存储方3DNAND DRAM案， 堆叠层数持续进阶， 技术迭代推动存储密度与性能同步提升。全球存储厂商加速扩产，产能向HBM及高端3DNAND倾斜，带动全产业链设备需求激增。从设备类型看，高深宽比工艺设备和HBM专用的TSV（硅通孔）设备成为新的增长点。TSV设备涵盖深孔刻蚀、ALD、铜种子层PVD、电镀填充等多个环节，其稳定性直接决定芯片互连可靠性。在国产化方面，国产设备已构建起贯穿存储芯片全制程的设备矩阵，整体国产化率较上年显著提升。公司的刻蚀、CVD、PVD、热处理、湿法清洗、电镀等设备成功适配3DNAND与HBM制造需求，已进入多家头部存储厂商的批量采购清单，成为其核心供应商。3．特色工艺制程设备
2025年，在汽车电子化、物联网、功率半导体等下游需求推动下，特色工艺制程产能持续扩张。国内新建晶圆产线聚焦8英寸与12英寸产线，BCD、SOI、CIS、硅基微显等特色工艺成为差异化竞争焦点，带动相关设备需求稳步增长。设备需求以刻蚀、薄膜沉积、湿法清洗、去胶、离子注入及热处理设备为主，对稳定性和量产效率要求较高。例如，清洗设备需适配不同工艺节点的污染物去除，实现低损伤、高洁净度控制；离子注入机以中低能机型为主，适配特色工艺制程掺杂技术；立式炉设备凭借其批量处理能力，成为氧化、扩散、退火等热处理工艺的核心装备。目前，国产设备已成为特色工艺制程领域的主要供应商，在本土晶圆厂扩产中成为核心供给力量，成本与本地化服务优势显著。4．先进封装设备得益于AI、高性能计算及5G/6G技术对算力密度的不断提升，以及数据中心、自动驾驶等领域对低功耗、高可靠性封装的强烈需求，先进封装技术迎来关键增长阶段，其中AI与高性能计算、通信与基础设施、汽车电子成为增长主力。2.5D封装通过硅中介层实现水平方向的芯片间高速互联，从而实现HBM和GPU的高带宽互联。3D封装使用TSV等技术，在垂直方向对芯片进行堆叠互联，通过最大化带宽、最小化延迟和面积，实现极致集成与密度。混合键合技术作为下一代高密度集成的关键，多家厂商正推动其大规模量产进程。此过程中，先进封装装备技术也快速迭代，部分前道工艺向封装环节延伸，拉动刻蚀、薄膜沉积、电镀、键合等设备的需求。根据公开信息，2025年全球半导体封装设备销售额64亿美元，同比增长19.6%，2026年和2027年将继续增长9.2%和6.9%，驱动力来自先进封装、异构集成的加速渗透。与此同时，国内设备厂商依托本土产业链的协同优势，已在大部分细分领域实现关键突破。5．化合物半导体设备碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体凭借高频、高压、耐高温特性，在新能源汽车、5G/6G通信、光伏逆变器、MicroLED等领域加速替代硅基半导体，市场规模快速增长，2025年SiC晶圆制造设备市场规模超44亿美GaN 25%元， 外延设备市场同比增长 ，技术路线向大尺寸、高质量外延层方向迭代。设备方面，核心设备包括外延生长、刻蚀、薄膜沉积、离子注入等设备，需适配化合物半导体材料的特殊物理化学特性。外延生长设备需精准控制外延层厚度与纯度，降低缺陷密度；刻蚀设备需实现高选择性刻蚀，避免材料损伤；薄膜沉积设备则要满足异质结构的界面兼容性要求，保障器件性能稳定性。从国产设备进展看，依托硅基半导体设备及LED设备的技术沉淀，国产设备在化合物半导体专用设备领域快速突破。通过产学研协同，国产化率已经较高，支撑国内化合物半导体产业规模化发展。6．新兴领域设备量子芯片、光电集成等新兴技术快速兴起，成为半导体设备新的增长极。其中，量子芯片聚焦超高精度制程探索，光电集成推动光电子与微电子器件异构融合，开始进入技术研发与小批量验证阶段。设备需求方面，新兴领域需求呈现定制化、高精度特征，量子芯片制造需高精度刻蚀、高真空镀膜设备，实现单原子级工艺控制；光电集成设备需适配异质材料键合与图形化需求；AI赋能的智能化设备成为研发重点。国产化方面，国产设备厂商积极布局新兴领域设备研发，部分应用设备已实现落地，部分核心技术取得突破，为后续产业化奠定基础，产学研协同成为技术迭代的核心动力。7．半导体设备国产化整体态势
2025年，国内半导体设备国产化进程进入加速爬升期。刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗等关键设备的国产化率持续提高，产业生态正从单一设备突破向全链条协同演进。设备企业与晶圆厂、材料厂商深化工艺合作，有效缩短了技术验证周期，同时核心零部件的自主化率不断提升，增强了供应链的韧性。在政策支持与市场需求的双重驱动下，国产设备订单增长显著，行业维持高景气度。伴随国产化进程提速，行业内部竞争日趋激烈，尤其是特色工艺制程、化合物半导体设备等赛道，参与企业增多使得竞争压力持续上升，推动行业加速向技术驱动转型。良性竞争有效加速了半导体设备的国产化进程，推动企业优化产品性能、提升服务质量与成本控制能力，推动头部国产设备在本土产线的渗透率快速提升。同时，研发投入的持续加码与中高端制程的技术攻坚，助力行业向高端化、高质量发展转型。未来，公司将进一步聚焦核心技术与平台化能力，聚焦平台化设备供给、核心部件自主可控及中高端制程突破能力，为国产化进程突破注入持续动力。
（二）真空新能源装备业务板块
．真空装备领域
2025年，国内真空热处理装备行业市场规模稳步增长。真空热处理装备行业发展紧密对接国家战略与先进制造需求，
尤其在航空航天、新能源汽车、半导体零部件、真空电子器件等关键领域表现突出。航空工业、商业航天等领域对材料性能的极致要求，持续为真空热处理、真空镀膜等高端真空装备提供稳定需求。半导体制造成为增长强劲的新引擎，随着产业自主化进程加速，先进陶瓷、石英等关键零部件材料热处理设备市场空间广阔，同时，新能源汽车、风电与机器人等战略新兴产业的需求共振，共同为磁性材料设备开辟了可观的市场空间，为行业带来新的增长点。新能源汽车产业发展迅猛，高强度、轻量化零部件对真空热处理设备需求持续拓展。政策层面，大规模设备更新行动与“绿色制造”倡导，推动加快真空装备升级换代步伐，符合国家节能降碳标准的先进装备成为市场的优先选择。真空热处理装备在绿色化、高端化、精密化和智能化方向持续深化，企业逐渐从单一设备供应商向综合解决方案服务商转型，为国家战略性新兴产业的核心竞争力提升提供保障。．新能源光伏装备领域在新能源光伏领域，2025年，我国光伏产业链主要环节总体呈现调整趋势。多晶硅、硅片产量同比下降29.6%、10%，组件出口量下降8.3%，由高速扩张转向结构调整。从技术路线看，2025年N型TOPCon电池片市占率仍然超过87%，异质结技术市占率提升至3.0%，XBC技术提升至6.7%，两者展现出巨大的技术潜力与发展空间。另外，由现有电池片技术与钙钛矿技术结合的叠层技术产品中，量产组件的最高转换效率已达29.1%，有望成为未来的重点发展路线。全球光伏行业扩产主要为地域范围增加，重点的光伏扩产地域已从东南亚扩展到中东、非洲等新兴地区。虽然国产光伏设备技术水平已领先全球，但装备领域的研发升级仍在持续。扩散、PECVD、LPCVD、湿法、激光等工艺技术装备，正在从“高产能、高可靠”的基本要求，向“智能化”“绿色化”“整体化”的解决方案升级，推动光伏装备向高端技术水平不断延伸。3．新能源锂电装备领域在新能源锂电装备领域，随着技术的不断成熟与市场的逐步拓展，新型锂电材料及设备的市场空间将持续扩大。复合集流体可为锂电池提供高安全、高能量密度、低成本的解决方案，卷绕PVD镀膜设备作为复合集流体制备的核心设2030 PVD 188 22%年复合集流体卷绕 设备需求将达到 亿元人民币，渗透率将达到 。与此同时，固态电池产业化进程在2025年明显加速。技术层面，半固态电池已实现量产装车，成为市场主流；全固态电池在关键技术上取得重要突破。产业层面，主要厂商已规划于2026年起逐步推进量产。据行业预测，到2030年，全球固态电池出货量有望突破600GWh，市场渗透率将超过10%，为锂电装备领域开辟重要的新增长空间。4．氢燃料电池装备领域在氢燃料电池装备领域，随着氢燃料电池的持续迭代，技术渐趋成熟，加之上游电源结构朝着清洁化加速转型，氢燃料电池有望在未来步入快速发展阶段，PVD镀膜可提升氢燃料电池双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性。在交通领域，氢能汽车将成为重要的应用场景，2025年全年国内共销售10782辆，同比增长51.2%。中国汽车工程学会发布《节能与新能源汽车技术路线图3.0》预测，到2030年，中国氢燃料电池汽车保有量将突破50万辆。氢燃料电池市场的未来预期，也推动氢能PVD镀膜设备进入规模化发展新阶段。
（三）精密元器件业务板块
中国精密元器件行业正处于快速发展阶段，市场规模持续扩大，根据行业研究报告，预计到2030年，中国精密元器件市场规模将达到2800至3200亿元，年复合增长率达16.5%，高于全球平均水平。从细分产品来看，压电石英晶体
频率元器件产业正处在充满活力的快速成长期。钽电容器行业呈现需求扩容、技术突破、格局重构的清晰发展态势，下游多领域需求爆发、行业技术迭代加速且国产化替代进程持续深化，电阻器行业也正处于需求扩容、高端升级、国产替代三重驱动的高景气周期。此外，磁性材料正向高频化、低损耗、高稳定性演进，电感器变压器向平面化、小型化、集成化升级，超高压陶瓷电容器则朝着高电压、大容量、低局放方向发展。各类细分领域协同升级、稳步发力，推动中国市场成为全球相关产业的增长引擎。。
四、主营业务分析
（一）概述
1．半导体装备
2025年，公司半导体装备业务持续发展，营业收入、市场占有率均快速增长，业务规模、量产能力与核心竞争力全
面提升。同时，公司全年大幅度增加研发投入，核心知识产权布局持续完善，关键技术壁垒不断拓宽，为产品迭代升级、产业化落地与市场拓展提供了坚实的技术支撑。围绕公司战略布局，公司稳步推进新产品开发及产业化应用，产品端实现多项突破。报告期内，公司成功推出离子注入设备、电镀设备等多款具备完全自主知识产权的新产品，实现12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉等核心设备的规模化量产。公司立式炉、物理气相沉积（PVD）设备继刻蚀机之后，顺利实现交付数量突破1000台的行业里程碑，充分印证了公司在集成电路装备领域成熟稳定的规模化量产能力和全流程交付保障能力。报告期内，公司完成对芯源微的并购整合，进一步完善了半导体装备领域全链条产品布局，拓宽了业务覆盖边界，综合服务能力与市场竞争优势持续增强。
（1）刻蚀设备
刻蚀设备是半导体制造中的核心工艺设备，通过物理或化学作用选择性去除晶圆表面材料，形成半导体器件所需的
微观结构。按照刻蚀机理及刻蚀材料的区别，主要包括以下品类：①ICP刻蚀设备基于电感耦合等离子体技术，通过腔室外侧的高频线圈激发反应气体，生成高密度等离子体。设备可在低工作气压下实现快速刻蚀，核心优势在于能独立控制离子能量与通量，可精准优化各向异性刻蚀能力，刻蚀深宽比表现优异，适用于硅、金属、氮化镓等多种材料的精细结构加工，是工艺制程的核心刻蚀设备之一。②CCP刻蚀设备采用平行板电容耦合方式产生等离子体，通过调节射频功率和气体配比，既能实现较高刻蚀速率，又具备宽泛的工艺窗口。其对氧化物、氮化物等绝缘材料刻蚀效果显著，兼容性强，常用于存储芯片的深孔、沟槽结构刻蚀。③高选择性刻蚀设备通过优化气体组合搭配脉冲等离子体技术，实现超高刻蚀选择比。可精准去除目标材料，同时最大限度保护掩膜层及周边非目标结构，避免损伤。主要应用于精细结构释放、堆叠层间选择性刻蚀等高精度工艺场景，是先进半导体器件制造中保障结构完整性的关键设备。④等离子去胶机通过等离子体活化氧气、氩气等工艺气体，使晶圆表面的光刻胶残留发生分解、氧化，转化为挥发性产物后被排出，完成去胶处理。其核心优势为无化学污染、处理效率高，且能适配不同光刻胶类型，广泛应用于刻蚀、沉积等工序后的光刻胶去除环节。⑤Bevel刻蚀设备专注于晶圆边缘处理，采用定向等离子体轰击技术，针对性消除薄膜沉积不均匀导致的晶圆边缘缺陷。在12英寸晶圆制造中应用广泛，核心用于晶背清洁、边缘残留去除，可有效防止后续封装及互连过程中出现铜互连断裂、漏电等问题，保障晶圆整体良率。⑥IBE刻蚀设备（离子束刻蚀设备）基于物理轰击原理，通过离子源产生高能离子束，直接轰击晶圆表面目标材料实现刻蚀。刻蚀过程基本不受化学反应影响，具有极高的刻蚀精度、方向性和均匀性，刻蚀速率稳定可控。适用于MEMS器件、光电子器件（如激光器、探测器）等对精度和表面质量要求极高的场景，也用于先进制程的精细辅助刻蚀。根据权威机构数据，2025年刻蚀设备在集成电路设备资本支出中的占比为18.5%，全球市场规模约1580亿元人民币。公司在刻蚀设备领域，已形成了ICP、CCP、干法去胶设备、高选择性刻蚀设备和Bevel刻蚀设备的多系列产品布局。
2025年公司刻蚀设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的刻蚀设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸电感耦合等离子体刻蚀设备（ICP） 主要用于12英寸逻辑、存储等领域浅沟槽隔离刻蚀、栅极刻蚀、侧墙刻蚀、金属硬掩膜刻蚀、高k值介质刻蚀、钨/钛/钽等金属及其化合物刻蚀等工艺。
该设备具备高密度电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护涂层等核心技术，实现了各技术节点的工艺突破。12英寸深硅刻蚀设备（ICP） 主要用于2.5D、3D先进封装硅通孔及集成电路领域深槽刻蚀。该设备具备快速气体和射频切换控制系统，优异的实时控制性能，在高深宽比深硅刻蚀中可精确控制侧壁形貌，大幅提升刻蚀速率，实现侧壁无损伤和线宽无损失刻蚀效果。英寸介质刻蚀设备（CCP） 主要用于逻辑芯片大马士革介质刻蚀、存储芯片台阶介质刻蚀、图形介质刻蚀等工艺。该设备具备顶部直流反向电压系统，腔体自清洁工艺，腔体内部绝缘材料控制等关键技术，满足多种技术代制程工艺的需求。12英寸高深宽比电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP） 主要用于高深宽比介质深孔刻蚀。该设备配置超高功率射频电源，可激发高能量等离子体，并开发了低温刻蚀和多重脉冲技术，满足更高深宽比刻蚀工艺要求。12英寸晶边刻蚀设备（BevelEtch） 主要用于晶圆边缘氧化硅、氮化硅、碳、金属等多类型膜层去除工艺。通过对等离子刻蚀区域精准控制，可视化调节位置，有效提升边缘良率。该设备已完成各技术代的产品线应用。12英寸高选择性化学刻蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片等领域气体化学反应刻蚀。通过气体匀流、腔室温度的控制、超洁净腔室处理、单腔双晶圆同时刻蚀等核心技术，实现高端制程适配与大规模量产能力。12英寸高选择性等离子刻蚀设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域高选择比、低损伤刻蚀。该设备具备高密度等离子发生装置及优良的离子过滤能力，配置多温区静电卡盘等功能，实现了超高选择比、无离子损伤刻蚀工艺。12英寸等离子去胶设备 主要用于12英寸逻辑、存储等领域干法去胶工艺。该设备配置高密度低损伤等离子源，实现高去胶速率的同时控制对晶圆表面的损伤，在高剂量离子注入后的去胶、新型材料去胶、3D立体结构及高深宽比聚合物去除等方面技术领先，并具备更长的使用周期及更低的拥有成本、维护成本。8英寸导体刻蚀设备（ICP） 主要用于多晶硅栅极、接触孔、浅槽隔离、深槽、金属硅化物栅极、悬浮栅、回刻蚀工艺，以及金属铝和钨的刻蚀工艺等。8英寸介质刻蚀设备（CCP） 主要用于SiO、SiN等介质材料的刻蚀，工艺类型覆盖前道和后道所有介质刻蚀。8英寸化合物刻蚀设备（ICP） 主要用于GaN、SiC、AlO等化合物材料的刻蚀。
等各个技术制程。
（2）薄膜沉积设备
薄膜沉积设备是半导体制造的核心工艺设备，与刻蚀设备协同工作，通过物理、化学或电化学方法在晶圆表面沉积
一层或多层均匀薄膜，用于构建器件的导电层、绝缘层、介质层及有源层等关键结构。根据沉积原理与工艺需求，主流设备主要包括PVD、CVD、外延设备、ALD及电镀设备五大类。①PVD（物理气相沉积设备）PVD基于物理过程实现薄膜沉积，核心是在真空环境中，通过蒸发、溅射等方式将靶材原子或分子从源体剥离，使其在晶圆表面凝聚、成膜。主流技术分为蒸发镀和溅射镀两类，其中溅射镀因膜层均匀性、致密性更优，应用更为广泛。设备优势在于膜层与基底附着力强、成分可控性好，沉积速率适中，可适配金属、合金、陶瓷等多种靶材。主要应用于半导体器件的金属布线（如铝、铜薄膜）、阻挡层（如钛、钽薄膜）、电极层沉积，也是面板、光伏等领域的通用型沉积设备。②CVD（化学气相沉积设备）通过气相化学反应实现薄膜沉积，核心是将含薄膜元素的气态前驱体通入反应腔，在晶圆表面发生分解、化合等反应，生成固态薄膜并沉积。根据反应条件差异，可细分为常压CVD、低压CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、金属有机物CVD（MOCVD）等子类。设备优势在于膜层台阶覆盖性极佳、厚度均匀性好，可沉积多种介质膜、半导体膜，兼容性强。广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的介质层、栅极层沉积，是半导体量产中应用广泛的沉积设备之一。③EPI（外延设备）EPI属于高精度专用沉积设备，核心是在单晶衬底表面，沿衬底晶格方向生长出与衬底晶格结构、取向一致的单晶薄膜（外延层），确保薄膜的电学、光学特性最优。设备优势在于外延层晶格匹配度高、缺陷密度极低，能精准调控薄膜组分与厚度。主要应用于集成电路、功率半导体（如氮化镓、碳化硅器件）、光电子器件的核心薄膜沉积，是高端半导体器件制造的关键设备。④ALD（原子层沉积设备）ALD基于循环式化学吸附原理实现原子级薄膜沉积，核心是将两种或多种前驱体交替通入反应腔，每种前驱体仅在晶圆表面发生单原子层化学吸附，通过排空步骤清除未反应前驱体后，再通入下一种前驱体发生反应，循环往复形成薄膜。设备最大优势在于薄膜厚度可精准控制到原子级，均匀性极佳，台阶覆盖能力远超传统CVD，且沉积温度低、膜层K MEMS致密无孔隙。适用于特殊薄膜沉积（如高 介质层、金属栅极薄膜）、 器件精细结构沉积，是半导体先进制程突破的核心沉积设备。⑤电镀设备电镀设备基于电化学沉积原理，将晶圆作为阴极浸入含目标金属离子的电镀液中，通过施加电流使金属离子在晶圆表面还原、沉积形成薄膜。核心优势在于沉积速率快、金属填充能力极强，能高效填充高深宽比结构。目前主流应用于半导体铜互连工艺的金属填充，也用于封装环节的金属镀层沉积。根据权威机构数据，2025年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.0%，全球市场规模约1870亿元人民币。公司在薄膜沉积设备领域，已形成了物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局。2025年，公司薄膜沉积设备营业收入超百亿元人民币。公司主要批量销售的薄膜沉积设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸集成电路金属沉积设备（PVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片Cu（铜）互连、AlPad（铝垫层）、MetalHardMask（金属硬掩膜）、MetalGate（金属栅）、Silicide（硅化物）等金属化制程工艺。该设备先后突破了磁控溅射源设计、等离子体产生及控制、腔室设计与颗粒控制、软件控制等多项关键技术，实现了对逻辑和存储芯片制程的全覆盖。12英寸先进封装金属沉积设备（PVD） 主要用于先进封装工艺中Ti、Cu等材料的沉积。该产品具备低温、低损伤、高覆盖率等核心优势技术，应用于先进封装UBM、RDL、TSV工艺的量产，为先进封装行业提供了稳定、高效的生产保障。英寸介质原子层沉积设备（D-ALD） 该产品包括热式原子层沉积设备（ThermalALD）和等离子增强型原子层PEALD 12沉积设备（ ），主要用于 英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属前介质层、硬掩膜层、钝化层、金属连线介质隔离等薄膜沉积，以及先进封装Liner层沉积。该设备具备良好的薄膜均匀性、优异的台阶覆盖率及快速且精准的前驱体控制系统，为客户提供高质量的介质薄膜沉积解决方案。12英寸金属栅极原子层沉积系统（MGALD） 12英寸金属栅极原子层沉积（MGALD）设备包含氮化钛（ALDTiN）、钛铝合金（ALDTiAl）和氮化钽（ALDTaN）三种机型，涵盖先进工艺金属栅极功函数层及刻蚀阻挡层薄膜的沉积。设备采用将多种前驱体循环通入腔室的方式，实现薄膜的逐层生长以及高精度的厚度和均匀性控制。12英寸管式原子层沉积设备（TubeALD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、低介电常数介质、高介电常数介质及氮化钛薄膜沉积工艺，具备精准控温、控压及批量式晶圆处理能力等优势，可实现高质量、高均匀性、高台阶覆盖率薄膜沉积。12英寸等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多种高品质介质薄膜沉积，可满足对钝化层、隔离层、抗反射层、刻蚀停止层等多样化的应用需求。该设备可实现高均匀性、高产能的薄膜沉积，工艺一致性更好、可靠性更高。12英寸高密度等离子体化学气相沉积设备（HDPCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片介质填充工艺。该设备通过同时进行沉积和刻蚀的工艺方式，有效完成高深宽比沟槽的介质填充，具备高沉积速率、优异的填孔能力和高致密的薄膜质量等优势。12英寸低压化学气相沉积设备（LPCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片接触孔和通孔填充。该设备通过精确的温度、气体脉冲时间和压力控制，实现高深宽比结构填充需求。12英寸管式化学气相沉积设备（TubeCVD） 主要用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、多晶硅及非晶硅沉积工艺。该设备凭借先进的控温技术及腔室气流特性优化设计，实现在平面和复杂立体结构的精确薄膜沉积，并具备优异的均匀性和台阶覆盖能力。12英寸外延设备（EPI） 该设备包括常压外延设备和减压外延设备。常压外延设备主要用于12英寸硅外延生长，减压外延设备主要用于减压选择性外延工艺。该设备工艺性能优异，实现了外延领域设备和工艺的全面覆盖。12英寸电镀设备（ECP） 该设备通过电解原理在晶圆表面沉积金属互连层，是集成电路和先进封装（如硅通孔、扇出型封装）的核心装备。该设备通过实时优化电场、流场、药液浓度等电镀参数，减少缺陷，提高芯片良率和可靠性，实现高深宽比硅通孔填充。8英寸物理气相沉积设备（PVD） 主要用于8英寸晶圆多种金属薄膜沉积工艺。广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。8英寸等离子增强化学气相沉积设备（PECVD） 主要用于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺。广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。8英寸金属有机化学气相沉积设备（MOCVD） 主要用于功率、射频、光电子、MicroLED、高效光伏等器件中的外延生长。8英寸硅外延设备（EPI） 主要用于体硅外延、埋层外延、选择性外延等多种特色工艺。该设备具备精准的压力、气流场与温场控制，保证了外延片良好的工艺性能和成膜质量。
（3）热处理设备
热处理设备是半导体制造中的关键工艺设备，核心作用是通过精准控温、控制气氛处理，优化晶圆材料的晶体结构、
电学性能，修复刻蚀、沉积、离子注入等工序造成的材料损伤，同时实现杂质激活、薄膜致密化等目标。根据处理方式、效率及制程适配性，主流热处理设备主要包括管式氧化、管式退火、单片退火设备等类型。①管式氧化设备管式氧化设备用于在晶圆表面生长氧化膜，通过将晶圆置于密封介质管内，在高温环境下通入氧化剂，使硅衬底与氧化剂发生化学反应生成氧化膜。设备采用批量处理模式，可同时放入数百片晶圆，通过精准控制温度、氧化时间、气体流量及氛围，调控氧化膜的厚度、致密性及均匀性。其优势在于批量处理效率高、成本低，膜层与衬底结合力强，适配多种氧化工艺需求。主要应用于半导体器件的栅氧化层、场氧化层、钝化氧化层生长，是逻辑芯片、存储芯片及功率半导体制造中的基础热处理设备。②管式退火设备管式退火设备在惰性氛围或还原性氛围下进行，通过高温加热、保温、缓慢降温的流程，可修复离子注入后晶圆晶格的损伤，激活掺杂杂质以提升导电性，同时实现薄膜致密化、应力释放及金属硅化物形成等工艺目标。设备优势在于处理量大、工艺稳定性好、成本可控，能适配不同材料的退火需求。广泛应用于离子注入后退火、沉积薄膜后致密化退火、金属布线退火等场景。③单片快速热处理设备（RTP）针对先进制程对热处理精度、热预算控制的严苛需求研发，采用单片式处理模式，一次仅处理一片晶圆。核心通过快速热退火技术，利用高效热源，实现晶圆的极速升温和降温，在极短时间内完成退火过程。其核心优势在于热预算极低，可有效抑制杂质扩散，避免晶圆表面图形变形，同时晶圆面内温度均匀性极高，能精准调控退火效果，减少工艺偏差。主要应用于高精度杂质激活、浅结退火、金属硅化物退火及先进封装中的局部热处理，是先进半导体器件制造中保障性能与精度的关键设备。根据权威机构数据，2025年热处理设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.2%，全球市场规模约190亿元人民币。公司在热处理设备领域，已形成了管式氧化设备、管式退火设备和快速热处理设备的全系列布局。公司主要批量销售的热处理设备包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸立式中高温氧化退火炉 主要用于集成电路制造中氧化硅的生长、中高温退火及水汽退火工艺。该设备具备优异的氧化层厚度、均匀性控制能力和退火质量，能有效提升器件电学稳定性，避免漏电或性能漂移。12英寸立式低温合金退火炉 主要用于集成电路及先进封装中金属合金处理、低温氢气退火及聚酰亚胺胶固化工艺。该设备具备先进的控温技术及合金化处理工艺，能有效降低欧姆接触电阻，降低芯片功耗，提高信号传输速度。12英寸快速热处理设备（RTP） 主要用于集成电路制造中快速热处理工艺，包括修复因离子注入、扩散等工艺步骤造成的晶格损伤，以及降低晶体缺陷等，从而提高半导体器件的性能和可靠性。该设备具有加热速度快、热预算小、工艺时间短、杂质扩散少等优点。12英寸单片减压原位湿法氧化系统 主要用于集成电路制造中湿法氧化、减压Spike、原位水汽氧化等工艺，可实现低界面态缺陷密度氧化物生长，有效防止漏电与隔离，提高晶体管的开关速度和信号传输速率。12英寸等离子氮化系统 主要用于集成电路制造中的栅极氮化工艺。该设备具备优异的氮渗透控制能力，可有效增大绝缘栅介电常数并降低有效绝缘栅厚度，提升晶体管性能，满足多种工艺制程芯片需求。8英寸SiC高温氧化炉 主要用于SiC器件中的高温氧化工艺。该工艺对提高SiC的沟道迁移率和栅极的可靠性至关重要。8英寸SiC高温退火炉 主要用于SiC器件中的高温退火工艺。该工艺可激活掺杂原子，同时修复破损晶格，实现掺杂改性目的。
（4）湿法清洗设备
半导体湿法清洗设备是晶圆制造全流程中的核心辅助设备，通过化学试剂与物理作用结合，去除晶圆表面的颗粒杂
质、金属污染物、有机残留、氧化层等污染物，同时避免损伤晶圆表面微观结构，为刻蚀、薄膜沉积、热处理等核心工艺提供洁净基底。其分类核心依据为处理方式、工艺效率及制程适配性，主流类型包括槽式清洗设备、单片清洗设备、物理刷洗设备等类型。①槽式清洗设备槽式清洗设备的核心结构为密封清洗槽，通过将多片晶圆装入花篮，浸入配置好的化学试剂中，配合加热、搅拌或溢流功能，实现批量清洗。设备可根据工艺需求切换不同试剂槽，完成清洗、漂洗、干燥全流程一体化处理。优势在于批量处理效率高、设备结构简单、采购及运行成本低，能适配中低制程的通用清洗需求。②单片清洗设备针对工艺制程对清洗精度、洁净度的严苛要求研发，采用单片式处理模式，一次仅对一片晶圆进行精准清洗。核心通过高压喷淋系统将化学试剂定向喷射至晶圆表面，配合晶圆高速旋转，实现试剂均匀覆盖与污染物快速剥离，同时可精准控制试剂用量、喷淋压力、温度及清洗时间。优势在于清洗精度极高，能有效避免批量清洗中晶圆间的交叉污染，晶圆面内洁净度均匀性优异，且化学试剂量可控、环保性更强，是12英寸晶圆量产中的主流湿法清洗设备。③物理清洗设备以物理刷洗为核心，搭配化学试剂或超纯水喷淋，通过高精度柔性毛刷与晶圆表面轻柔接触旋转，剥离顽固颗粒杂质及附着污染物，同时通过喷淋系统及时带走脱落杂质，避免二次污染。设备优势在于对大尺寸颗粒、顽固附着杂质的去除效果显著，刷洗压力、转速可精准调控，适配不同晶圆尺寸及表面结构。主要应用于晶圆边缘清洗、背面颗粒去除、厚光刻胶残留预处理等场景。根据权威机构数据，2025年湿法设备在集成电路制造设备资本支出的占比为5.5%，全球市场规模约470亿元人民币。公司在湿法设备领域，已形成了单片设备、槽式设备全面布局。 年，公司完成对沈阳芯源微电子设备股份有限公司的并购，丰富了公司在物理刷洗和单片清洗领域的布局。公司已批量销售的湿法设备主要包括：产品类别 图示 应用介绍12英寸单片湿法设备 主要用于12英寸逻辑前段清洗工艺，采用了堆叠式架构及多片式传输系统，占地小、产能高；可搭载IPA（热异丙醇）干燥技术或DZH（动态加热异丙醇）干燥技术，满足平面结构与三维高深宽比结构的干燥要求；可配备NanoSpray（二相流颗粒去除模块）和Nano-E（高频液滴无损伤颗粒去除模块），实现更卓越的颗粒去除效果12英寸前段单片湿法清洗设备 主要用于12英寸前段清洗工艺，采用了堆叠式架构及多片式传输系统，占地小、产能高；采用热异丙醇（IPA）干燥技术，达到良好的干燥效果。12英寸后段单片湿法设备 主要用于12英寸后段清洗工艺，采用多片式传输系统保障高效工艺产出；精密的腔室及卡盘设计支持超高的化学品回收效率。12英寸槽式湿法设备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域12英寸清洗工艺。采用模块化、标准化设计，满足客户多种工艺应用需求；集成多功能药液槽，刻蚀速率控制精准；应用先进的低压干燥技术，达到良好的干燥效果，实现槽式湿法工艺全覆盖。12英寸物理清洗设备 主要用于物理气相沉积、化学气相沉积、黄光制程及铜制程之后的各种晶圆处理工艺的清洗。采用自研第二代低损伤雾化清洗喷嘴、耐压控制系统，满足更高工艺制程客户需求。8英寸槽式湿法设备 主要用于集成电路、功率半导体、衬底材料、硅基微显示等领域8英寸清洗工艺。管舟清洗设备 主要用于石英管/舟、石英板、基座等零部件浸泡式清洗。
（5）离子注入设备
离子注入设备通过高能离子束改变半导体材料的电学特性，是集成电路工艺中形成PN结和调控器件性能的核心装备。其工作原理是先通过离子源产生所需离子，在电场作用下加速至预定能量，再精确注入半导体材料，实现原子的替
换或添加，进而调控材料性能。2025年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为2.0%，全球市场规模约170亿元人民币。公司已批量销售的离子注入设备包括：英寸浸没式离子注入设备 主要用于硅晶圆器件的高剂量、低能量的离子注入掺杂工艺，面向存储和逻辑领域的互补金属氧化物半导体器件的掺杂(CMOSDeviceDoping)、加氢钝化（H-Passivation）、超浅结掺杂（UltraShallowJunctionDoping）、SOI（Silicon-on-Insulator）等工艺应用需求。12英寸离子注入设备 主要用于12英寸逻辑、存储芯片硼、磷、砷等元素的注入。该设备可精准控制注入角度，注入剂量，从而独立控制掺杂浓度和节深，调控晶体管电性能。
（6）涂胶显影设备
涂胶显影设备是集成电路制造过程中不可或缺的关键处理设备，主要与光刻机配合进行作业，通过机械手使晶圆在
各系统间传输和处理，从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影、坚膜等工艺过程。根据权威机构数据，2025年涂胶显影设备在集成电路制造设备资本支出的占比为2.8%，全球市场规模约240亿元人民币。公司控股子公司芯源微是国内领先的前道涂胶显影机的厂商，主要产品包括前道涂胶显影机、后道先进封装涂胶显影机、化合物小尺寸涂胶显影机等。产品类别 图示 应用介绍12英寸前道涂胶显影设备 适用于前道氟化氩、浸没式氟化氩、氟化氪涂胶显影工艺，可兼容高产能底部抗反射涂层、旋涂碳、负显影等工艺。采用对称分布高产能架构，搭载自主研发的高速高精小型机械手，可选配36个spin工艺腔体，满足全球主流光刻机产能需求；领先的超高温、超高精度热盘技术、单元实时控制技术，工艺能力稳定精准；颗粒度控制优秀。后道先进封装涂胶显影设备 适用于先进封装BGA、Flip-Chip、WLCSP、CSP、2.5D、3D涂胶及显影工艺。可实现高粘度PR、PI涂胶及多种显影工艺；渐进式烘焙，实现温度阶梯控制，适用于超厚胶涂覆、显影及烘烤工艺；实现超薄晶圆/翘曲片传送加工。
（7）键合设备
键合设备是实现晶圆级集成与异质封装的核心装备，通过物理或化学作用实现芯片与基板的高精度互联，其技术路
线涵盖传统引线键合、倒装芯片键合、混合键合及临时键合等多种形式。其中混合键合直接决定了芯片互连的密度与性能上限，对芯片或晶圆进行活化、清洗、对准、键合，实现芯片间百纳米级精度的直接铜-铜连接，已成为实现高性能三维异质异构集成不可或缺的战略性技术。根据权威机构数据，2025年键合设备全球市场规模约50亿元人民币。公司的键合设备主要包括临时键合机、解键合机、混合键合设备等。产品类别 图示 应用介绍12英寸晶圆对晶圆混合键合设备 2026年3月正式发布，主要应用于晶圆间的混合键合工艺，面向晶圆级三维集成、图像传感器领域、存储芯片、高带宽存储器（HBM）领域。12英寸芯片对晶圆混合键合设备 2026 3年 月正式发布，主要应用于芯片与晶圆间的混合键合工艺，面向芯片三维集成（Chiplet）、高带宽存储器（HBM）、异质芯片集成等领域，实现芯片到晶圆的高精度键合，已实现产业化应用。临时键合设备 应用于三维集成、2.5D/3D封装领域，晶圆减薄过程中超薄晶圆、预减薄晶圆等易碎器件的支撑与保护工艺。设备具有良好的键合胶旋涂均匀性、键合总厚度变化（TTV）控制性能，集成高精视觉校准功能与真空传送的键合腔，键合总厚度变化检测技术，实现键合片组的闭环测试。解键合设备 应用于三维集成、2.5D/3D封装领域，减薄工艺后，器件与玻璃载片的无应力分离及清洗。设备采用叠层布置，可有效减少设备占地面积，配备平顶化矩形光斑，能量分布均匀，具备精确的药液温度、压力与流量控制能力，实现高工艺稳定性。2．真空新能源装备
2025年，全球光伏行业进入深度调整周期，行业产能过剩矛盾持续凸显，下游终端装机需求不及预期，光伏产业链全环节价格持续下行，上游电池、组件制造厂商扩产意愿大幅收缩，直接导致光伏设备市场需求显著萎缩；同时行业内同质化竞争加剧、价格战持续升级，进一步压缩了设备厂商的盈利空间，对公司真空新能源装备板块原有光伏核心业务的订单获取、交付节奏、营收规模与盈利水平均带来了较大的负面冲击。面对光伏行业持续下行的经营压力，公司依托真空技术领域数十年的深厚积累与同源技术优势，坚持战略转型与产业并购双轮驱动，多维度拓宽业务增长空间。一方面主动推进业务结构优化，快速将业务重心向半导体材料专用装备、氢能核心制备与储运装备、锂电高端制造装备等新兴高景气赛道拓展，围绕新应用场景开展定制化技术研发与产品开发，相关市场拓展、客户验证与订单落地均取得阶段性突破；另一方面通过产业并购完善细分赛道布局，报告期内公司完成对成都国泰真空的收购整合，充分发挥双方在真空技术领域的协同效应，补全了公司在高端光学镀膜设备赛道的产品矩阵，成功切入光学镜头、光通讯元器件等高端光学核心应用场景，大幅打开了高端光学领域的市场增长空间，进一步丰富了真空装备业务的应用场景与盈利维度。通过系列战略调整，公司真空新能源装备业务逐步对冲光伏行业下行带来的经营影响，构建起多赛道协同发展的业务格局，为板块长期可持续发展开辟了全新的增长曲线。
（1）晶体生长设备
晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源
光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。公司主要批量销售的晶体生长设备包括：产品类别 图示 应用介绍电阻式SiC长晶炉 主要用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备多加热器设计，可进行灵活的工艺和热场设置，下装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时具备高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优异。感应式SiC长晶炉 主要用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长。该设备具备创新的结构设计，可提供高纯材料生长能力，拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优异，设备一致性好。液相法碳化硅长晶炉 设备通过将碳溶解在硅与助溶剂组成的高温溶液中形成碳化硅溶质，并通过加热功率控制、运动控制等方式形成温度梯度，实现碳化硅溶质在籽晶表面的析出、成晶，最终实现碳化硅晶体生长。设备工艺稳定性强，为客户带来优异的产品良率，同时具有晶体生长速率快、能耗低、维护便利等特性，助力客户降低运营成本，提高生产效率。单晶硅生长炉 主要用于光伏产业单晶硅制备工艺，该设备具有大投料量、高拉速、低能耗、自动化、智能化优势，可全自动并行工艺处理。
（2）真空热工设备
真空热工设备是在真空或低气压环境下进行材料热处理、加工或制备的特种工业装备，其通过抽真空技术消除气体
干扰（如氧化、污染），精准调控材料性能，广泛应用于航空航天、电真空器件、新能源及精密制造等领域。典型设备包括真空热处理炉（用于金属退火、淬火等工艺，提升力学性能）、真空钎焊炉（无氧高精度焊接航空发动机叶片等精密部件）、真空镀膜设备（通过PVD/CVD技术制备光学或耐磨涂层）以及真空烧结炉（实现陶瓷、硬质合金的高致密化烧结）等。该设备具备无氧化污染、工艺可控性强、节能环保等优势，可保障材料高纯度加工并减少能耗。随着新材料需求增长，真空热工设备正向智能化、多功能集成化方向演进，成为高端制造业的核心装备。公司主要批量销售的真空热工设备包括：产品类别 图示 应用介绍热压烧结炉 主要用于高纯靶材、先进陶瓷的烧结工艺。设备采用自研加压控制系统，确保极高的压力控制精度，最高工艺温度2200℃，可确保良好的温度均匀性。槽沉炉 主要用于石英锭在真空环境下的旋转、加压槽沉工艺，广泛应用于半导体石英核心零部件成型。通过将石英锭加热熔化，依靠重力自融或机械加压，实现二次成型。设备采用旋转模具、多级退火、真空槽沉、分区功率控制、防硅蚀结构，有效减少气泡、条纹缺陷，消除氧化污染，提升生产效率，延长设备寿命。连续高温石墨化炉 主要用于碳碳、碳陶及石墨等碳材料的石墨化工艺。设备最高温度可达2400℃，多个真空腔室串联可实现连续化生产，运动系统全伺服控制，设备运行稳定可靠、能耗低、操作简单、自动化程度高、产品一致性优异。真空钎焊炉 主要用于铝及铝合金材料的真空钎焊工艺，广泛应用于半导体核心零部件加工。通过将钎料加热熔化，依靠毛细力作用对零件间隙进行填充，实现冶金结合。设备采用分区功率控制与温度补偿实现高工艺温度均匀性（≤±3℃），增强了焊接质量，助力客户提高产品质量。
（3）新能源光伏设备
公司深耕新能源光伏电池片设备，引领行业技术不断升级。公司成功研发大产能5管/6管/10管/12管设备，覆盖182至230mm多种大尺寸方形或矩形片。通过等离子场、电场、气场、温度场等理论研究和开发试验，持续推进单管结
TOPCon构升级与产能提升。目前，已能够为光伏行业提供专业、高效、先进、低成本的解决方案。公司已完成在 、XBC工艺路线大产能设备的行业布局。低压扩散设备、低压硼扩设备具备较强市场竞争力，各类扩散、氧化、退火类设备技术性能优异。LPCVD可完成隧穿氧化层、本征多晶硅层、磷原位掺杂多晶硅层等膜层制备，以430MW/年单机产能引领行业发展，覆盖TOPCon/XBC两类主流技术路线。PECVD设备覆盖TOPCon、HJT、XBC、钙钛矿叠层电池技术。ALD设备的双倍舟技术，舟槽利用率大幅提升。经过几十年的技术沉淀、创新突破及产研结合，公司累计发布了近百款量产型光伏设备，实现头部客户全覆盖，并出口东南亚、中东、非洲等地区，成为国内及国际光伏设备主流的解决方案提供商。公司主要批量销售的新能源光伏装备包括：产品类别 图示 应用介绍管式低压化学气相沉积设备（LPCVD） 主要用于182mm及以上的TOPCon光伏高效电池的超薄隧穿氧化层和Poly薄膜工艺，满足大尺寸硅片及高产能需求，有效提高客户产线生产效率。退火设备 该设备为多管卧式炉管设备，主要用于晶硅电池制作过程中的硼/磷掺杂、氧化、退火等工艺。等离子增强化学气相沉积设备(PECVD) 主要用于230mm光伏电池减反钝化层、钝化层、多晶硅层（POLY层）及掺杂元素工艺的制备，适用于隧穿氧化层钝化接触太阳能（TOPCon）电池、异质结（HJT）及背接触（BC）电池生产制造，具有高转换效率、高产能的优异性能。光伏原子层沉积设备（ALD） 主要用于光伏电池氧化铝钝化层的制备，适用于隧穿氧化层钝化接触太阳能（TOPCon）电池及背接触（BC）电池生产制造。该设备采用多管式结构，舟槽利用率高，有效降低客户运营成本。
（4）新能源锂电设备
新能源锂电复合集流体设备通过在高分子基材（如PET、PI）表面沉积纳米级金属层（铜、铝等），形成“三明治”
结构，替代传统金属箔制造锂电池复合集流体。该设备可实现超薄（微米级）、高导电、耐腐蚀的轻量化集流体生产，可提升电池能量密度，同时抑制锂枝晶生长，增强锂电池安全性与循环寿命。其高精度卷对卷连续镀膜技术适配大规模量产需求，广泛应用于动力电池、储能系统等领域，助力新能源产业向高效、安全方向升级。公司主要批量销售的新能源锂电复合集流体设备包括：产品类别 图示 应用介绍磁控溅射卷绕镀膜设备 该设备主要用于电极集流体、薄膜固态电解质、固固界面缓冲层制备。
基于柔性基材的真空镀膜技术，可实现电池安全性提升、能量密度提高和阻抗降低。设备能耗低、稳定性好，可有效降低客户运营成本。卷绕式蒸发镀膜设备 该设备是一种专为柔性基材（如高分子薄膜、金属箔）表面连续镀膜设计的先进设备，适用于新能源电池集流体、柔性电子电路、光学薄膜及包装材料等领域，兼具高产能、低能耗优势，推动柔性电子与绿色制造的规模化发展。
（5）氢燃料电池装备
氢能金属双极板镀膜设备是专为氢燃料电池核心组件——金属双极板表面处理而设计的高端制造装备，旨在通过精
密镀膜技术提升双极板的耐腐蚀性、导电性及耐久性，满足燃料电池苛刻工况下的性能需求。公司主要批量销售的氢能装备包括：产品类别 图示 应用介绍阴极电弧复合磁控溅射镀膜设备 主要用于氢能燃料电池双极板涂层工艺。该设备凭借自研的气体离子刻蚀及辅助沉积技术、4G-CAE第四代阴极电弧技术及泰坦涂层工艺技术，在涂层性能显著提高的同时，有效降低生产成本，为氢能燃料电池产业化提供支持。3．精密元器件
2025年，公司精密元器件业务保持稳健发展态势，持续深耕核心技术研发与产品矩阵升级，不断提升核心产品的市场覆盖度与场景适配能力。报告期内，公司成功开发石英压力传感器芯体、抗振动高能钽电容、电子封装外壳系列等多款新产品，突破多项核心工艺瓶颈，进一步拓宽了精密元器件业务的应用边界与业务领域，为业务长期发展夯实了技术与产品基础。受下游客户降价诉求提升、行业市场竞争持续加剧等因素影响，报告期内公司精密元器件业务毛利率出现明显下降。在高端精密元器件领域，公司主要产品为电源管理芯片、模拟信号链产品、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、新型电容器、微波组件、电子封装管壳、超高压陶瓷电容器、电感器变压器、高性能磁性材料等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品，拓展新应用。新开发高功率密度负载点电源，可应用于AI、数据中心、新一代高性能FPGA、CPU、GPU等应用场景。公司积极布局模拟信号链产品，已形成覆盖ADC/DAC模数/数模转换器、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类300多种产品，并积极拓展数字存储类产品，已经形成FLASH、DDR存储器等系列产品。报告期内，公司研发出基于石英材质的压力传感器芯体，在温漂系数、稳定性方面相较于市场同类型产品有着明显优势；完成抗振动高能钽电容技术攻关和高分子钽电容产品研发，解决行业痛点，产品性能指标大幅提升；进行了耐高温阳极设计，开发了耐高温电解液及耐高温结构材料，并对结构进行了优化攻关，完成了耐高温液体钽电容器的开发。成功开发电子封装外壳系列产品，目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。公司研发的超高压陶瓷电容器，采用自研的陶瓷粉体配方，在相同的体积条件下，介质耐电压性能高于行业平均水平，在充放电寿命及耐温方面具有明显优势，目前已广泛应用于激光器、医疗器械、高压电源、高铁机车、电力系统、广播通讯等领域。公司主要批量销售的精密元器件包括：产品类别 应用领域模拟信号链产品 采用国内先进半导体工艺制程，结合先进塑料封装技术和高可靠金属陶瓷封装技术，设计并制造了一系列具有代表性的模拟芯片。已形成覆盖模数/数模转换器（ADC/DAC）、运算放大器、模拟开关、总线接口、时钟芯片、基准源等十余类近300种型号。数字存储类产品 利用封装堆叠、键合堆叠等先进堆叠工艺，实现存储容量的大幅提升，满足复杂场景对数据存储速率和容量的双重要求，已形成非易失性存储器-闪存(FLASH)、易失性双倍速率同步动态随机存储器(DDR)等多款大容量存储系列产品。高功率密度负载点电源 该型产品具有体积小、功率密度高等技术优势，可在人工智能、数据中心等场景为新一代高性能现场可编程门阵列(FPGA)、中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)等提供稳定供电。压力传感器芯体 采用高精度石英微机电加工技术和晶圆级直接键合封装技术，芯体具有长期稳定性优异、适应严苛工业环境等优势，可应用于半导体制造中的系统压力监控，以及石油化工流程的高精度压力控制。钽电容器 主要应用于抗振强度高的能量转换电路，起到功率缓冲、能量吸收、能量补给、断电延时保护等作用。具有高抗振、高能量密度、长使用寿命等优异性能。目前已广泛应用于空天、低空等领域。电子封装外壳 采用先进的多层高温共烧陶瓷和金属玻璃高温封接技术，具有体积小、重量轻、封装密度高、集成度高、导热性能好、电性能参数优异、高频性能佳等优势。目前已广泛应用于单片集成电路、光电探测和光通信、微波通信模块、射频微系统、光电微系统、汽车电子等领域。石英晶体振荡器 采用基于微机电系统（MEMS）石英晶片加工平台及专用集成电路设计平台实现，具有体积小、频率稳定性高、相噪低、高频特性好、可靠性高等优势。目前已广泛用于通信仪表、工业控制等领域。精密电阻器 采用先进磁控溅射技术和干湿法刻蚀技术，具有阻值精度高、温度系数小、体积小、重量轻、稳定高可靠等特点。目前已广泛用在通讯仪表、自动控制、汽车电子等重要领域。超高压陶瓷电容器 采用先进的等静压成型和干压成型技术、特殊的电极结构设计，并涂覆特殊研制的过渡材料，具有耐压高、局部放电小、长期工作性能稳定可靠等特点。电感器变压器 涵盖定制类功率变压器电感器、高频信号变压器、片式电感器等，应用频率、功率范围广，可靠性高，广泛用于各类设备电子电路的电源中。高性能磁性材料 采用先进的真空气雾化制粉、智能控制烧结等技术，实现了软磁材功耗的大幅降低，材料性能达到行业先进水平。产品广泛应用在AI服务器、车载OBC、高功率直流充电桩、轨道交通等高端民用领域。时频器件 拥有从晶圆加工、IC设计、MEMS光刻加工、差分晶振组装的全流程，深耕QMEMS工艺，实现高基频晶片的自主设计、加工，直接产生基频高达156.25M/312.5M的高频信号，并以差分形式输出，具有低功耗、低抖动、强抗干扰能力的优点，聚焦应用于数据中心、5G通信、人工智能等核心领域。
（二）收入与成本
1．营业收入构成
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据□适用 不适用
3．公司实物销售收入是否大于劳务收入是□否行业分类 项目 单位2025年2024年 同比增减电子工艺装备 销售量 元 36,731,219,888.81 27,706,652,584.82 32.57%生产量 元 38,442,876,618.46 29,835,073,954.11 28.85%库存量 元 12,345,123,412.65 10,633,466,683.00 16.10%电子元器件 销售量 元 2,579,277,891.07 2,324,811,968.30 10.95%生产量 元 2,621,427,733.19 2,281,799,117.38 14.88%库存量 元 275,491,662.45 233,341,820.33 18.06%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用□不适用国内半导体设备市场持续上行，同时国产化替代持续加速。公司集成电路装备领域刻蚀、薄膜沉积、炉管、湿法清洗等多款设备市占率稳步提升，同时离子注入等新品快速落地形成新增量，工艺覆盖度及市场占有率显著增长。公司集成电路设备的营收同比增长超50%，使得电子工艺装备营业收入同比有较大增长。4．公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况□适用 不适用5．营业成本构成行业分类
（1）本公司设立北京北方华创科技服务有限公司，持股比例为100%，故纳入合并报表范围。
（2）本公司收购沈阳芯源微电子设备股份有限公司，购买日持股比例为17.87%，且获得董事会过半数席位，已取得控
制权，故纳入合并报表范围。
（3）本公司子公司北京华创精密电子有限公司收购北京华创飞行电子有限公司，合并日持股比例为24.27%，且与其他
股东签署股权委托管理协议，已取得控制权，故纳入合并报表范围。（）本公司子公司北京北方华创真空技术有限公司收购成都国泰真空设备有限公司，持股比例为 ，故纳入合并报表范围。
（5）本公司子公司北京华创精密电子有限公司收购海阳市佰吉电子有限责任公司，购买日持股比例为34%，且与其他
股东签署股权委托管理协议，已并取得控制权，故纳入合并报表范围。
（6）本公司子公司沈阳芯源微电子设备股份有限公司设立上海华创芯源微电子设备有限公司，持股比例为100%，故纳
入合并报表范围。7．公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况□适用 不适用8．主要销售客户和主要供应商情况
（三）费用
场规模扩大，市场拓展及客户服务团队人员数量增加，导致本期薪酬、股权激励费用增加。管理费用 3,433,421,029.99 2,163,857,473.65 58.67% 主要为芯源微管理费用并表，半导体装备产业化台马基地投入使用导致折旧摊销增加，以及管理人员薪酬及股权激励费用增加。财务费用 228,775,158.40 62,716,207.67 264.78% 为满足订单增长、研发投入、并购需求，本期取得借款增加，利息费用增加。研发费用 5,435,445,365.50 3,698,631,501.10 46.96% 主要为公司为匹配业务规模的快速扩张，持续扩充研发团队，研发人员薪酬、股权激励费用增加。同时本期研发材料测试费增加。
（四）研发投入
适用□不适用
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响半导体装备研发项目 提高半导体装备的技术水平，扩展产品线。 按计划实施中 加大集成电路先进制程装备研发力度，扩展现有核心装备工艺覆盖率，探索新技术领域的产品开发。 有利于提高公司半导体装备业务的竞争能力
（五）现金流
1．2025年经营活动现金流入小计为40,208,357,152.81元，比上年同期增加33.05%，其主要原因是：销售订单继续保持
良好趋势，收到的货款增加。2．2025年经营活动现金流出小计为38,074,912,574.96元，比上年同期增加32.81%，其主要原因是：订单、研发投入增加，公司为了满足订单及研发需求，材料采购、人工成本支付的现金增加。3．2025年经营活动产生的现金流量净额为2,133,444,577.85元，比上年同期增加37.48%，其主要原因是：销售商品收到货款增加。． 年投资活动现金流入为 元，比上年同期增加 ，其主要原因是：处置长期资产收回的现金净额增加。5．2025年投资活动现金流出小计为5,053,590,298.95元，比上年同期增加124.08%，其主要原因是：构建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金增加，以及取得子公司股权支付的现金净额增加。6．2025年投资活动产生的现金流量净额为-3,928,878,293.58元，比上年同期减少74.79%，其主要原因是：构建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金增加，以及取得子公司股权支付的现金净额增加。7．2025年筹资活动现金流入小计为10,019,680,383.24元，比上年同期增加378.29%，其主要原因是：为满足订单增长、研发投入、并购需求，本期取得借款增加。8．2025年筹资活动现金流出小计为3,412,182,568.93元，比上年同期增加149.82%，其主要原因是：偿还债务支付的现金增加。9．2025年筹资活动产生的现金流量净额为6,607,497,814.31元，比上年同期增加806.34%，其主要原因是：取得借款收到的现金较上期增加。10．2025年现金及现金等价物净增加额为4,797,979,566.09元，比上年同期增加12,436.19%，其主要原因是：筹资活动现金流净额增加58.78亿。报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明□适用 不适用
五、非主营业务分析
适用□不适用
六、资产及负债状况分析
1．资产构成重大变动情况
购需求，本期取得借款增加。租赁负债 171,510,663.21 0.19% 171,291,734.63 0.26% -0.07%无形资产 10,519,991,153境外资产占比较高□适用 不适用2．以公允价值计量的资产和负债适用□不适用
七、投资状况分析
1．总体情况
适用□不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
八、重大资产和股权出售
1．出售重大资产情况
□适用 不适用
公司报告期未出售重大资产。
2．出售重大股权情况
□适用 不适用
九、主要控股参股公司分析
适用□不适用
十、公司控制的结构化主体情况
□适用 不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动
适用□不适用
接待时间 接待地点 接待方式 接待对象类型 接待对象 谈论的主要内容及提供的资料 调研的基本情况索引
2025年01月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2025年02月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者2人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
2025年03月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者1人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2025年04月 公司 电话沟通 个人 个人投资者7人次 行业及公司业务介绍 无
2025年05月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者1人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2025年06月 公司 电话沟通 个人 个人投资者8人次 行业及公司业务介绍 无
2025年07月 公司 电话沟通 个人 个人投资者13人次 行业及公司业务介绍 无
2025年08月 公司 电话沟通 个人 个人投资者10人次 行业及公司业务介绍 无
2025年09月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者2人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2025年10月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者3人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2025年11月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者2人次、个人投资者5人次 行业及公司业务介绍 无
2025年12月 公司 电话沟通 机构、个人 机构投资者4人次、个人投资者3人次 行业及公司业务介绍 无
十三、市值管理制度和估值提升计划的制定落实情况
公司是否制定了市值管理制度
是□否
公司是否披露了估值提升计划
□是 否
为推动提升公司的投资价值，进一步加强与规范公司的市值管理活动，维护公司、投资者及其他利益相关者的合法
权益，根据《公司法》《证券法》《国务院关于改进和加强中央企业控股上市公司市值管理工作的若干意见》《上市公司监管指引第10号——市值管理》《深圳证券交易所股票上市规则》等法律法规、规范性文件和《公司章程》的有关规定，公司制定了《市值管理制度》，并经2025年4月24日召开的公司第八届董事会第二十四次会议审议通过。公司将聚焦主业，提升经营效率和盈利能力，同时可以结合实际情况，综合运用并购重组、股权激励、现金分红、投资者关系管理、提升信息披露质量及其他合法合规的方式提升公司投资价值。十四、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案公告是□否自2024年2月实施“质量回报双提升”行动方案以来，公司围绕三大核心举措持续推进战略实施，各项工作取得显著成效。1．聚焦核心主业，赋能高质量发展公司始终坚持“以客户为中心，以价值创造者为本，持续创新”的核心价值观，持续推进集成电路装备主业的平台化布局，构建全栈技术能力。完成对芯源微的收购，补齐涂胶显影设备短板；保持高额研发投入，报告期内研发投入和申请专利数量位居国内集成电路装备企业前列；发布离子注入、电镀等多款新机型，规模量产12英寸先进低压化学气相硅沉积立式炉等设备；在高端制程领域不断攻克多项关键核心技术，多款产品在国内代表性的芯片厂商产线上实现批量应用，市场占有率稳步提升，有力支撑了国内集成电路产线建设。2．深化治理改革，守护股东权益
2025年度，公司建立了完善的法人治理结构，形成科学有效的职责分工与制衡机制。公司严格遵循新《公司法》及监管要求，顺利完成取消监事会改革，将原监事会监督职能移交董事会审计委员会行使，持续优化内部控制机制，提升法人治理水平，保障由股东会、董事会及公司管理层构成的新型治理架构规范、高效、稳健运行。同时，公司严格遵循“真实、准确、完整、及时、公平”原则，不断提高信息披露有效性与透明度，强化行业发展、公司业务、技术创新、风险因素等关键信息披露，提升信息披露质量，高效传递公司价值，努力为投资者价值判断提供充分依据，切实保障投资者合法权益。公司高度重视股东沟通与投资者关系管理，持续完善公开、公平、透明、多维度的投资者沟通渠道。除依法发布定期报告与临时公告外，还通过投资者热线、电子邮箱、业绩说明会等多种形式与投资者积极互动，增进投资者特别是中小投资者对公司生产经营、战略布局、技术研发及治理改革等情况的理解与认同，更好传递公司长期价值，增强市场信心，助力公司高质量可持续发展。．构建稳健回报机制，共享企业发展红利公司严格执行利润分配政策，2025年度实施现金分红5.67亿元，近三年累计分红15.34亿元，近三年年均现金分红比例10.20%。随着公司的发展，将致力于构建长期可持续的股东回报机制。未来，公司将继续围绕“质量回报双提升”战略，深化技术创新与产业协同，强化风险管控能力，以高质量发展回馈投资者信任，为资本市场稳定健康发展贡献力量。
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